新(xīn)潔能(néng)提供擊穿電(diàn)壓等級範圍為(wèi)-30V至-100V的P溝道SGT-I系列功率MOSFET産(chǎn)品。P溝道增強型功率MOSFET在降低系統設計複雜度上擁有(yǒu)天然的優勢，獨特的栅極負壓開啓機制，使得P溝道功率MOSFET成為(wèi)高端開關的理(lǐ)想選擇。P溝道功率MOSFET産(chǎn)品的選用(yòng)可(kě)以簡化栅極驅動，往往可(kě)以降低系統的總成本，為(wèi)設計人員提供了一種新(xīn)的選擇。此外，P溝道功率MOSFET産(chǎn)品利用(yòng)空穴作(zuò)為(wèi)載流子進行導電(diàn)，其遷移率低于N溝道功率MOSFET中(zhōng)的載流子電(diàn)子，同等情況下，P溝道功率MOSFET産(chǎn)品導電(diàn)性能(néng)弱于N溝道功率MOSFET産(chǎn)品。
新(xīn)潔能(néng)基于SGT-I技(jì )術的-30~-100V P溝道功率産(chǎn)品提供超低的導通電(diàn)阻（RDS(on)），為(wèi)設計人員在簡化系統複雜度、降低系統總成本的前提下，進一步提高系統效率與性能(néng)。廣泛應用(yòng)于電(diàn)池保護、負載開關、電(diàn)機控制及低壓驅動等應用(yòng)中(zhōng)。
P溝道SGT-I系列功率MOSFET封裝(zhuāng)範圍包括TO-220、TO-252、TO-263、DFN5*6、SOP-8等多(duō)種封裝(zhuāng)形式，為(wèi)設計人員優化系統提供解決方案。
注：'SGT MOSFET'又(yòu)稱“Super Trench MOSFET”。