新(xīn)潔能(néng)提供擊穿電(diàn)壓等級範圍為(wèi)500V至800V的N溝道SJ-III系列功率MOSFET産(chǎn)品，以良好的導通電(diàn)阻，極低的栅極電(diàn)荷，出色的開關速度，以及極具(jù)競争力的性價比，成為(wèi)開關電(diàn)源應用(yòng)中(zhōng)的理(lǐ)想選擇。同時，新(xīn)潔能(néng)SJ-III系列産(chǎn)品提供雪(xuě)崩耐量（EAS）以及靜電(diàn)釋放能(néng)力，提高了系統可(kě)靠性。此外，該系列産(chǎn)品采用(yòng)新(xīn)潔能(néng)自主創新(xīn)技(jì )術，優化了産(chǎn)品開關特性，使其在系統應用(yòng)時具(jù)有(yǒu)更好的EMI表現。廣泛應用(yòng)在家用(yòng)電(diàn)器驅動、計算機電(diàn)源、UPS、電(diàn)動汽車(chē)充電(diàn)等領域。
N溝道500-800V系列SJ-III MOSFET産(chǎn)品封裝(zhuāng)範圍包括TO-220、TO-223、TO-263、TO-251、TO-252、TO-247等。
導通電(diàn)阻低
栅極電(diàn)荷低
開關速度出色
性價比極高
系統可(kě)靠性提高