新(xīn)潔能(néng)提供擊穿電(diàn)壓等級範圍為(wèi)30V至250V的N溝道SGT-I系列功率MOSFET 産(chǎn)品，以技(jì )術水平和卓越的質(zhì)量管理(lǐ)保證了出色的産(chǎn)品性能(néng)和可(kě)靠性，在降低系統設計難度的同時，提供了性價比。廣泛應用(yòng)于開關電(diàn)源（SMPS）中(zhōng)的同步整流、DC電(diàn)機控制、太陽能(néng)微型逆變器、電(diàn)信及服務(wù)器電(diàn)源以及不間斷電(diàn)源（UPS）等領域。針對電(diàn)源設計領域中(zhōng)，設計人員面臨提高系統效率與功率密度，同時降低系統成本的雙重挑戰，新(xīn)潔能(néng)N溝道SGT-I系列功率MOSFET産(chǎn)品憑借出色的導通電(diàn)阻（RDS(on)）與品質(zhì)因子（FOM，RDS(on)×Qg）可(kě)實現快速硬開關，大幅度增強了應用(yòng)效率，成為(wèi)該挑戰的完美解決方案。
N溝道SGT-I系列功率MOSFET封裝(zhuāng)範圍包括TO-220、TO-252、TO-247、TO-263、TO-251、TOLL、DFN5*6、DFN3*3、SOP-8等多(duō)種封裝(zhuāng)，為(wèi)設計人員定制化提供更加豐富靈活的選擇。
注：'SGT MOSFET'又(yòu)稱“Super Trench MOSFET”。
低導通電(diàn)阻
優良品質(zhì)因子
高可(kě)靠性
高性價比