新(xīn)潔能(néng)提供擊穿電(diàn)壓等級範圍為(wèi)30V至120V的N溝道SGT-II系列功率MOSFET 産(chǎn)品超低的導通電(diàn)阻（RDS(on)）與超低栅極電(diàn)荷（Qg）的特點，結合先進輕巧緊湊的封裝(zhuāng)進一步提高了系統的功率密度與能(néng)量轉換效率。同時，面向性能(néng)與魯棒性要求極為(wèi)苛刻的低頻應用(yòng)，新(xīn)潔能(néng)N溝道SGT-II系列産(chǎn)品進一步優化了大電(diàn)流關斷能(néng)力與靜電(diàn)防護能(néng)力，可(kě)滿足包括直流電(diàn)機驅動、锂電(diàn)池保護、AC/DC同步整流等廣泛應用(yòng)。此外，相比于新(xīn)潔能(néng)上一代SGT-I系列産(chǎn)品，SGT-II系列産(chǎn)品特征導通電(diàn)阻Ron,sp 降低20%，FOM值進降低20%，為(wèi)設計人員進一步提高系統效率提供了更優的選擇。
N溝道SGT-II系列功率MOSFET封裝(zhuāng)範圍包括TO-220、TO-252、TO-247、TO-263、TO-251、TOLL、DFN5*6、DFN3*3、SOP-8等多(duō)種封裝(zhuāng)，為(wèi)設計人員定制化提供更加豐富靈活的選擇。
注：'SGT MOSFET'又(yòu)稱“Super Trench MOSFET”。
超低導通電(diàn)阻
超低栅極電(diàn)荷
大電(diàn)流關斷能(néng)力強
靜電(diàn)防護能(néng)力強